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调研:三星3nm GAA不太可能在2023年前量产

图源:欧新社

芯榜网消息,机构调研显示,三星电子在2023年之前不太可能量产3nm GAA工艺,这可能使其在尖端芯片竞争中处于不利地位。

Digitimes Research指出,三星将继续在其4nm工艺中使用FinFET晶体管结构,第一代工艺将于2021年下半年发布。而三星采用GAA晶体管的3nm工艺,在性能和成本上都只能与台积电的3nm FinFET工艺相匹敌。

根据此前报道,台积电将在2024年推出的2nm工艺中引入GAA晶体管技术,公司透露,其4nm制程将在本季度进行风险生产,并在2022年批量生产。3nm制程则将继续使用FinFET晶体管结构。

CEO魏哲家补充称,“我们的3nm技术一旦引进,将是PPA和晶体管技术中最先进的代工技术。”台积电预计,其3nm制程将在2021年进行风险生产,并在2022年下半年进行量产。(校对/小山)

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