日前,中国科学院院士、中科院微电子研究所高频高压中心研究员吴德馨团队在905nm多有源区级联垂直腔面发射激光器(VCSEL)研究方面取得进展,研发出高性能905nm双有源区级联VCSEL器件,斜率效率达到2.27W/A,微分量子效率为164%。
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日前,中国科学院院士、中科院微电子研究所高频高压中心研究员吴德馨团队在905nm多有源区级联垂直腔面发射激光器(VCSEL)研究方面取得进展,研发出高性能905nm双有源区级联VCSEL器件,斜率效率达到2.27W/A,微分量子效率为164%。
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