东尼电子：公司主要研发6英寸导电型碳化硅衬底材料

芯榜网消息，9月30日，东尼电子在互动平台上表示，目前公司碳化硅半导体材料项目主要研发6英寸导电型碳化硅衬底材料。

据此前公告披露，东尼电子年产12万片碳化硅半导体材料项目目总投资46,940.00万元，其中：固定资产投资42,940.00万元，铺底流动资金4,000万元。本项目由东尼电子直接负责实施。该项目实施地点为湖州市吴兴区织里镇利济东路588号。项目建设期36个月，项目建设完成后，将年产12万片碳化硅半导体材料。

项目完全达产当年可实现年营业收入77,760万元，净利润 9,589.63 万元，税后财务内部收益率 34.23%，本项目的经济效益良好。

东尼电子表示，公司拟投资建设的年产12万片碳化硅半导体材料项目能够实现对下游客户 的稳定批量供应，顺应碳化硅衬底材料国产替代大趋势，同时可以缓解下游市场对碳化硅衬底材料的迫切需求。

（校对/日新）